标准详细信息
半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验 |
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| 标准编号：GB/T 45720-2025 | 标准状态： 即将实施 | 阅读打印版价格： 43.0 |
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标准简介
适用范围：
本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。
标准编号：
GB/T 45720-2025标准名称：
半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验英文名称：
Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown(TDDB)test for gate dielectric films标准状态：
即将实施发布日期：
2025-05-30实施日期：
2025-09-01出版语种：
中文简体
标准类型：
CN标准属性：
GB标准编号：
45720起草人：
陈义强、来萍、高汭、蔡荣敢、冯宇翔、王力纬、董显山、肖庆中、陈媛、常江、刘岳阳、刘岗岗、裴选、张亮旗、冯军宏、迟雷、夏自金、刘世文起草单位：
工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科技有限公司、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市森美协尔科技有限公司归口单位：
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)提出部门：
中华人民共和国工业和信息化部发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
