标准详细信息
Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法 |
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| 标准编号：GB/T 44558-2024 | 标准状态： 即将实施 | 阅读打印版价格： 31.0 |
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标准简介
适用范围：
本文件描述了用透射电子显微镜测试Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的方法。本文件适用于六方晶系Ⅲ族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错成像的测试。
标准编号：
GB/T 44558-2024标准名称：
Ⅲ族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法英文名称：
Test method for dislocation imaging in Ⅲ-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy标准状态：
即将实施发布日期：
2024-09-29实施日期：
2025-04-01出版语种：
中文简体
标准类型：
CN标准属性：
GB标准编号：
44558起草人：
曾雄辉、董晓鸣、苏旭军、牛牧童、王建峰、徐科、王晓丹、徐军、郭延军、陈家凡、王新强、颜建锋、敖松泉、唐明华、闫宝华、李艳明起草单位：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、苏州科技大学、北京大学、国家纳米科学中心、北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、苏州大学、山东浪潮华光光电子股份有限公司、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
